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IDT70V05S25PFI  产品描述

高速3.3V8K×8双端口静态RAM - 集成设备技术

真正的双端口存储单元，可同步
读取相同的内存位置
高速接入
 商业：15/20/25/35/55ns（最大值）
 工业：20/25/35/55ns（最大值）
低功率运行
 IDT70V05S
活动：400MW（典型值）
待机：3.3mW（典型值）
 IDT70V05L
活动：380mW（典型值）
待机：660μW（典型值）
 IDT70V05轻松扩展数据总线宽度为16位或以上
使用主/从选择级联时多一台设备的M / S = VIH电BUSY输出标志硕士
的M / S =从站忙输入的VIL
中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持旗语信号
港口之间
从任何一个端口完全异步操作
 TTL兼容的，单一的3.3V（±0.3V）电源
可在68针的PGA和PLCC封装和64引脚TQFP
工业温度范围（-40℃至+85°C）是可
对选定的速度
IDT70V05是一个高速8K×8双端口静态RAM。 “
IDT70V05被设计为一个独立的单独的64K位双端口使用
SRAM或16 BITOR相结合的主/从双端口SRAM
更多的字系统。使用IDT的主/从双端口SRAM
方法在16位或更宽的内存系统应用在全速的结果，
无差错操作，而不需要额外的分立逻辑。
该器件提供两个单独控制的独立端口，
允许独立的，异步访问的地址和I / O引脚
读取或写入到内存中的任何位置。自动断电
通过CE控制功能允许每个端口的片上电路进入
一个非常低的待机功耗模式。
采用IDT的高性能CMOS技术，这些
设备通常只有400mW的功率。
IDT70V05 68针陶瓷PGA和PLCC封装在
和64引脚薄型四方扁平封装（TQFP）。
注意事项：
1。所有VCC引脚必须连接到电源。
2。所有GND引脚必须连接到地面的供应。