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描述 | MOSFET N-CH 600V 2A IPAK |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
其它有关文件 | STD2HNK60Z-1 View All Specifications |
标准包装 | 75 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | SuperMESH™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.8 欧姆 @ 1A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.5V @ 50µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V |
功率 - 最大 | 45W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商设备封装 | I-Pak |
包装 | 管件 |
其它名称 | 497-12783-5STD2HNK60Z-1-ND |
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