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描述 | JFET SWITCH N-CHAN SOT-23 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | JFET(结点场效应 |
系列 | - |
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 50mA @ 20V |
漏极至源极电压(Vdss) | - |
漏极电流 (Id) - 最大 | - |
FET 型 | N 沟道 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 30V |
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id | 4V @ 1nA |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 14pF @ 20V |
电阻 - RDS(开) | 30 欧姆 |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 带卷 (TR) |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率 - 最大 | 350mW |
其它名称 | MMBF4391-NDMMBF4391TR |
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