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描述 | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 75 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 55A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 19 毫欧 @ 33A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V |
功率 - 最大 | 107W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 管件 |
其它名称 | *IRLR3103 |
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