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描述 | MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC |
RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 11.5A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 900mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 3529pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) |
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