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描述 | IGBT MOD DUAL 1200V 600A A SER |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 1 |
类别 | 半导体模块 |
家庭 | IGBT |
系列 | IGBTMOD™ |
IGBT 类型 | - |
配置 | 半桥 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 1200V |
Vge, Ic时的最大Vce(开) | 3V @ 15V,600A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 600A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
Vce 时的输入电容 (Cies) | 94nF @ 10V |
功率 - 最大 | 3670W |
输入 | 标准型 |
NTC 热敏电阻 | 无 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | 模块 |
供应商设备封装 | 模块 |
配用 | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
其它名称 | 835-1024 |
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