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描述 | MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363 |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 630mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 375 毫欧 @ 630mA,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 46pF @ 20V |
功率 - 最大 | 270mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装 | SOT-363 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | NTJD4401NT1GOSNTJD4401NT1GOS-NDNTJD4401NT1GOSTR |
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