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供应CY7C1021DV33-10ZSXI芯片手册, CY7C1021DV33-10ZSXI电路, CY7C1021DV33-10ZSXI概率分布函数

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型号:CY7C1021DV33-10ZSXI

产家:CY

封装:TSSOP

批号:1140+

数量:5000

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    电议

CY7C1021DV33-10ZSXI   产品描述

1兆位(64K×16静态RAM

工作温度范围
- 工业级:-40℃至85℃
- 汽车-A -40°C至85°C间
- 汽车E:-40°C至125°C的
•引脚和功能兼容与CY7C1021CV33
•高速
- TAA = 10纳秒
•低有功功率
- 为ICC = 60毫安,10纳秒
•低待机功耗CMOS
- ISB2 = 3毫安
•2.0V数据保留
•自动断电,当取消
•最佳速度/功耗CMOS
•独立控制上下位
•可用在无铅44引脚400百万广泛模压SOJ,
44针TSOP II和48焊球VFBGA包
功能描述[1]
CY7C1021DV33是一种高性能的CMOS静态
RAM的组织由16位为65,536字。这个装置有
自动断电功能,显著降低
功耗时取消。
写入设备是通过采取芯片启用
(CE)和写使能(我们)投入低。如果低字节启用
(竹叶)为低,然后从I / O引脚的数据(通过I/O7 I/O0),是
写入地址引脚(A0指定的位置
通过A15)。如果启用高字节(BHE)为低,然后数据
从I / O引脚(I/O8通过I/O15)被写入到的位置
上指定的地址引脚(A0-A15)。
从设备读通过芯片实现
启用(CE)和输出启用(OE)低而迫使
写使能(我们)高。如果字节的低启动(竹叶)为低,
然后从内存位置的数据指定的地址
引脚出现I/O0到I/O7。如果启用高字节(BHE)
低,从内存数据,然后将出现在I/O8到I/O15。
在此数据表的结束为一个完整的真值表
说明读取和写入模式。
被放置在一个输入/输出引脚(通过I/O15 I/O0)
高阻抗状态时,该设备被取消(CE认证
高),输出被禁用(OE高),BHE的和BLE
被禁用(BHE的,竹叶高),或写操作过程中
(CE低,和WE低)。
CY7C1021DV33是在无铅44引脚400-MIL
宽模压SOJ,44针TSOP II和48焊球VFBGA封装
包。
64K x 16
RAM阵列

 

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  • 1N4148W订单号:4685768783512012-11-05
  • QFBR-5752L订单号:4685768783512012-12-04
  • QFBR-5753APZ订单号:10001410920022012-11-28
  • QFBR-5755APZ订单号:19491786222012-11-26
  • QFBR-5755APZ订单号:19491786222012-11-20
  • DS3231SN订单号:5683897759192012-11-13
  • DS1832S+TR订单号:LP000120210247572012-11-08
  • ACPL-227-50BE订单号:12006680036362012-11-01

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