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供应TLV2211IDBVR 数据手册, TLV2211IDBVR芯片手册, TLV2211IDBVR电路, TLV2211IDBVR概率分布函数

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型号:TLV2211IDBVR

产家:TI

封装:SOT23

批号:1142+

数量:30000

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    电议

TLV2211IDBVR  产品描述

高级LinCMOSE轨到微功耗单运算放大器

高级LinCMOSE轨到轨
微功耗单运算放大器
输出摆幅包括两个供电轨
低噪声。
NV / 21 / Hz的典型值在F = 1千赫
低输入偏置电流。
1 pA的典型
非常低的功率。
13马每通道的典型
共模输入电压范围
包括负轨
宽电源电压范围
2.7 V至10 V
可在SOT-23封装
宏模型包括
描述
TLV2211是一个单一的运算放大器,使用德州仪器高级LinCMOSE制造
的过程。这些设备进行了优化,完全指定的单电源3 V和5 V操作。
对于这个
结合微功耗水平低电压运行,输入噪声电压性能
大大提高了使用CMOS型放大器的优化设计技术。
另外补充
好处是,这些放大器表现出的轨到轨输出摆幅。
输出动态范围,可以延长使用
引用TLV2211与负载之间的铁轨中间。
共模输入电压范围更宽
比一般标准的CMOS型放大器。
考虑到利用这种性能的改善和
使该器件提供一个更广泛的应用,具有较大的最大输入偏移指定VICR
±5毫伏电压测试的限制,允许最低0至2 V共模输入电压范围为3-V电源
供应。
可选项
电讯管理局局长VIOmax在25°C
封装设备
符号
芯片形式
采用SOT-23(DBV)†
(y)
0°C至70°C间3毫伏TLV2211CDBV VACC
TLV2211Y
-40°C至85°C间3毫伏TLV2211IDBV的Vaci
†的DBV包在磁带和卷轴。
高级LinCMOS工艺采用硅门技术,获得输入失调电压稳定
温度和时间远远超过使用金属栅极技术,索取。
这项技术也使得
可能的输入阻抗水平达到或超过顶栅JFET和昂贵的水平
介质隔离装置。
TLV2211,参展的高输入阻抗和低噪声,是优秀的小信号调理
高阻抗信号源,如压电传感器。
由于低功耗水平
3-V操作相结合,这些设备的工作以及在手持式监测和遥感
应用。
此外,单或分割用品轨到轨输出功能使这些器件的优秀
选择直接连接到模拟 - 数字转换器(ADC)。
所有这些功能结合其
高温性能使远程压力传感器,温度控制,主动TLV2211理想
电阻电压(VR)的传感器,加速度计,手持式测光,和许多其他应用。

北京捷美创芯电子科技有限公司是中国最著名最大的电子元器件分销商.捷美创芯创建于2000年,经过近十年的发展,已成为中国最大的IC产品零售服务商。

捷美创芯成立以来秉承“质量第一、信誉第一、效率第一、服务第一、价格合理”的经营理念,联合国际知名半导体生产企业,为国内外企业提供优质供应服务。

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